FQB9N50CFTM_WS
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onsemi FQB9N50CFTM_WS
| Artikelnummer: | FQB9N50CFTM_WS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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onsemi FQB9N50CFTM_WS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQB9N50CFTM_WS.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie FRFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.5A, 10V Verlustleistung (max) 173W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) Grundproduktnummer FQB9 FQB9N50CFTM_WS Einzelheiten PDF [English] FQB9N50CFTM_WS PDF - EN.pdf -
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